硒化铟

- 中文名 硒化铟
- 外文名 indium selenide
- 别称 diindium triselenide
- 化学式 In2Se3
- 分子量 466.516
物质结构
通过In-Te熔融体的X射线衍射研究指出有六种二元化合物,In4Te3、InTe、In3Te4、In2Te3、In3Te5、In2Te5。其中研究最多的是InSe和In2Se3。
In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五种晶体结构。
理化性质
α-In2Te3和γ-In2Te3在室温下能够稳定存在,它们的带隙值分别为1.2-1.3 eV和1.9-2.3 eV。
制备方法
单晶硒化铟可以用 Bridgman–Stockberger 法制备,以一定比例的硒单质和铟单质为原料,在管式炉中高温长时反应,能制得硒化铟的每种化合物。

In2Te3的水热法合成研究较晚,将抗坏血酸在60℃条件下溶于乙醇溶液中,然后加入InCl3和Se粉,装入反应釜中后在220℃高温下保持20小时,得到了直径为2-4μm的花状γ-In2Te3球体。
计算化学
1、 氢键供体数量:0
2、 氢键受体数量:3
3、 可旋转化学键数量:0
4、 拓扑分子极性表面积(TPSA):0
5、 重原子数量:5
6、 表面电荷:0
7、 复杂度:0
8、 同位素原子数量:0
9、 确定原子立构中心数量: 0
10、 不确定原子立构中心数量:0
11、 确定化学键立构中心数量:0
12、 不确定化学键立构中心数量:0
13、 共价键单元数量:5
生态影响
通常对水体是极其有害的,即使小量产品也不能接触地下水,水道或污水系统
性质特征
常温常压下稳定。
避免光,明火,高温。溶于强酸中易分解。半导性的化合物In2Se3具有缺陷的ZnS晶格结构,其中非金属原子被三个金属原子和一个空缺按四面体的方式排列着。化合物In2Se3还有另外的多晶型晶体。In2Se3(六面体的)的标准生成焓是(-318.0±5.0)kJ/mol。
研究进展
2016年11月,曼彻斯特大学和诺丁汉大学的研究人员合成纳米级超薄硒化铟,仅有几层原子的厚度,并表现出优于硅的半导体性能,是未来替代硅制作电子芯片的理想材料。