二氧化铪是一种无机物，化学式为HfO2，是铪元素的一种氧化物，常温常压下为白色固体，难溶于水，不溶于盐酸和硝酸，可溶于浓硫酸和氢氟酸。

• 中文名称 二氧化铪
• 外文名称 Hafnium(IV) oxide
• 别名 氧化铪(IV)
• 化学式 HfO2
• 分子量 210.49

基本信息

　　IUPAC 名称:dioxohafnium

　　元素含量比重:O (oxygen) 15.2% 、Hf (hafnium) 84.8%

　　二氧化铪 分子结构

　　密度:9.68g/cm3

　　熔点:2758℃

　　摩尔质量:210.49 g/mol

　　CAS 号: 12055-23-1

　　蒸发压力:在2678℃时1Pa;在2875℃时10Pa

　　线膨胀系数:5.6×10-6/K

　　溶解度:不溶解于水

　　纯度:99.99

　　薄膜特性:透光范围~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15 (500nm)~2

　　蒸发条件:用电子枪，氧分压~1~2×10-2Pa。蒸发温度~2600~2800℃，基片温度~250℃，蒸发速率2nm/s

　　应用领域:UV增透膜，干涉膜

性质

　　白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3，10.1和10.43g/cm3。

　　熔点2780~2920℃。沸点5400℃。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸，可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。

应用

　　二氧化铪(HfO₂)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它最可能替代硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO₂)，以解决MOSFET中传统SiO₂/Si结构的发展的尺寸极限问题。